IRFBG30PBF-BE3
MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
Número de pieza NOVA:
312-2297752-IRFBG30PBF-BE3
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IRFBG30PBF-BE3
Embalaje estándar:
1,000
N-Channel 1000 V 3.1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-220AB | |
| Número de producto base | IRFBG30 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 3.1A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 1.9A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 80 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-220-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 1000 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 980 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 125W (Tc) | |
| Otros nombres | 742-IRFBG30PBF-BE3 |
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