IRLD024PBF
MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP
Número de pieza NOVA:
312-2283047-IRLD024PBF
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IRLD024PBF
Embalaje estándar:
100
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 60 V 2.5A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 4-HVMDIP | |
| Número de producto base | IRLD024 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 2.5A (Ta) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 5V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 1.5A, 5V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 18 nC @ 5 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 4-DIP (0.300", 7.62mm) | |
| Vgs (Máx.) | ±10V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 60 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 870 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 1.3W (Ta) | |
| Otros nombres | *IRLD024PBF |
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