SQ2364EES-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
Número de pieza NOVA:
312-2280923-SQ2364EES-T1_GE3
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SQ2364EES-T1_GE3
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 60 V 2A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SOT-23-3 (TO-236) | |
| Número de producto base | SQ2364 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 2A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 240mOhm @ 2A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 1V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 2.5 nC @ 4.5 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±8V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 60 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 330 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 3W (Tc) | |
| Otros nombres | SQ2364EES-T1_GE3CT SQ2364EES-T1_GE3TR SQ2364EES-T1_GE3DKR |
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