SSM3K56ACT,L3F
MOSFET N-CH 20V 1.4A CST3
Número de pieza NOVA:
312-2264598-SSM3K56ACT,L3F
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SSM3K56ACT,L3F
Embalaje estándar:
10,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 20 V 1.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount CST3
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | CST3 | |
| Número de producto base | SSM3K56 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | U-MOSVII-H | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 1.4A (Ta) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 235mOhm @ 800mA, 4.5V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 1V @ 1mA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 1 nC @ 4.5 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | SC-101, SOT-883 | |
| Vgs (Máx.) | ±8V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 20 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 55 pF @ 10 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 500mW (Ta) | |
| Otros nombres | SSM3K56ACTL3FDKR SSM3K56ACTL3FTR SSM3K56ACT,L3F(T SSM3K56ACTL3FCT SSM3K56ACT,L3F(B |
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