SSM6J414TU,LF
MOSFET P CH 20V 6A UF6
Número de pieza NOVA:
312-2275712-SSM6J414TU,LF
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SSM6J414TU,LF
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
P-Channel 20 V 6A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount UF6
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | UF6 | |
| Número de producto base | SSM6J414 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | U-MOSVI | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 6A (Ta) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 22.5mOhm @ 6A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 1V @ 1mA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 23.1 nC @ 4.5 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 6-SMD, Flat Leads | |
| Vgs (Máx.) | ±8V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 20 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1650 pF @ 10 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 1W (Ta) | |
| Otros nombres | SSM6J414TULF(TDKR SSM6J414TULF(TTR SSM6J414TU,LF(T SSM6J414TULFDKR SSM6J414TULF SSM6J414TU,LFCT SSM6J414TULF(TCT SSM6J414TULF(TCT-ND SSM6J414TULF(TDKR-ND SSM6J414TULFCT SSM6J414TULF(TTR-ND SSM6J414TULFTR SSM6J414TU,LFDKR SSM6J414TU,LFTR |
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