IAUS200N08S5N023ATMA1
MOSFET N-CH 80V 200A HSOG-8
Número de pieza NOVA:
312-2277830-IAUS200N08S5N023ATMA1
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IAUS200N08S5N023ATMA1
Embalaje estándar:
1,800
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 80 V 200A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount PG-HSOG-8-1
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-HSOG-8-1 | |
| Número de producto base | IAUS200 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 200A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 2.3mOhm @ 100A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 3.8V @ 130µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 110 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 8-PowerSMD, Gull Wing | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 80 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 7670 pF @ 40 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 200W (Tc) | |
| Otros nombres | IAUS200N08S5N023ATMA1DKR IAUS200N08S5N023ATMA1CT SP001792362 IAUS200N08S5N023ATMA1TR |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
NTAT6H406NT4Gonsemi
IAUT200N08S5N023ATMA1Infineon Technologies
IAUS300N08S5N012TATMA1Infineon Technologies
SUM40014M-GE3Vishay Siliconix
IAUS165N08S5N029ATMA1Infineon Technologies
LTC7003IMSE#TRPBFAnalog Devices Inc.- IAUS300N08S5N014TATMA1Infineon Technologies
FDBL0210N80onsemi- IAUS240N08S5N019ATMA1Infineon Technologies
SQJ180EP-T1_GE3Vishay Siliconix- IAUS300N08S5N012ATMA1Infineon Technologies
