BSC042NE7NS3GATMA1

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Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TDSON-8-1
Número de producto base	BSC042
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	OptiMOS™
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	19A (Ta), 100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	4.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	3.8V @ 91µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	69 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	8-PowerTDFN
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	75 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	4800 pF @ 37.5 V
Disipación de energía (máx.)	2.5W (Ta), 125W (Tc)
Otros nombres	BSC042NE7NS3 GTR-ND BSC042NE7NS3G 2156-BSC042NE7NS3GATMA1 BSC042NE7NS3GATMA1DKR-NDTR-ND BSC042NE7NS3GATMA1TR BSC042NE7NS3 GCT-ND BSC042NE7NS3 G-ND SP000657440 BSC042NE7NS3 GDKR-ND BSC042NE7NS3GATMA1DKR BSC042NE7NS3 G BSC042NE7NS3 GCT BSC042NE7NS3 GDKR BSC042NE7NS3GATMA1CT-NDTR-ND BSC042NE7NS3 GTR BSC042NE7NS3GATMA1CT INFINFBSC042NE7NS3GATMA1