FDP8440

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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

Número de pieza NOVA:

312-2276991-FDP8440

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

FDP8440

Embalaje estándar:

Hoja de datos técnicos:

N-Channel 40 V 100A (Tc) 306W (Tc) Through Hole TO-220-3

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Fairchild Semiconductor
RoHS	1
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-220-3
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	PowerTrench®
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	2.2mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	450 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	TO-220-3
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	24740 pF @ 25 V
Disipación de energía (máx.)	306W (Tc)
Otros nombres	FAIFSCFDP8440 2156-FDP8440