STD60NF55LAT4
MOSFET N-CH 55V 60A DPAK
Número de pieza NOVA:
312-2288017-STD60NF55LAT4
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
STD60NF55LAT4
Embalaje estándar:
2,500
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 55 V 60A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252)
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | D-PAK (TO-252) | |
| Número de producto base | STD60 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 60A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 40 nC @ 5 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±15V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 55 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1950 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 110W (Tc) | |
| Otros nombres | 497-18737-6 STD60NF55LAT4-ND 497-18737-2 497-18737-1 |
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