IXFT60N65X2HV
MOSFET N-CH 650V 60A TO268HV
Número de pieza NOVA:
312-2279831-IXFT60N65X2HV
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IXFT60N65X2HV
Embalaje estándar:
30
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 650 V 60A (Tc) 780W (Tc) Surface Mount TO-268HV (IXFT)
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-268HV (IXFT) | |
| Número de producto base | IXFT60 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | HiPerFET™, Ultra X2 | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 60A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 52mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 5V @ 4mA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 108 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | |
| Vgs (Máx.) | ±30V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 650 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 6300 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 780W (Tc) | |
| Otros nombres | -IXFT60N65X2HV |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
IXFT50N60P3IXYS
IXFA80N25X3IXYS