IRFU5305PBF
MOSFET P-CH 55V 31A IPAK
Número de pieza NOVA:
312-2263208-IRFU5305PBF
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IRFU5305PBF
Embalaje estándar:
75
Hoja de datos técnicos:
P-Channel 55 V 31A (Tc) 110W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | IPAK (TO-251AA) | |
| Número de producto base | IRFU5305 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | HEXFET® | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 31A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 16A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 63 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 55 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1200 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 110W (Tc) | |
| Otros nombres | *IRFU5305PBF SP001550274 |
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