BSC021N08NS5ATMA1

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MOSFET TRENCH 80V TSON-8

Número de pieza NOVA:

312-2283080-BSC021N08NS5ATMA1

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

BSC021N08NS5ATMA1

Embalaje estándar:

5,000

N-Channel 80 V 100A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TSON-8-3

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TSON-8-3
Número de producto base	BSC021
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	OptiMOS™, StrongIRFET™
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	2.1mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	3.8V @ 146µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	29 nC @ 10 V
Función FET	Standard
Paquete / Caja	8-PowerTDFN
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	80 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	8600 pF @ 40 V
Disipación de energía (máx.)	214W (Tc)
Otros nombres	448-BSC021N08NS5ATMA1TR 448-BSC021N08NS5ATMA1DKR SP001793410 448-BSC021N08NS5ATMA1CT BSC021N08NS5ATMA1-ND