GPI65030DFN
GANFET N-CH 650V 30A DFN8X8
Número de pieza NOVA:
312-2278639-GPI65030DFN
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
GPI65030DFN
Embalaje estándar:
1
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 650 V 30A - Surface Mount Die
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | GaNPower | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | Die | |
| Tecnología | GaNFET (Gallium Nitride) | |
| Serie | - | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 30A | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 6V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 1.2V @ 3.5mA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 5.8 nC @ 6 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | Die | |
| Vgs (Máx.) | +7.5V, -12V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 650 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 241 pF @ 400 V | |
| Disipación de energía (máx.) | - | |
| Otros nombres | 4025-GPI65030DFNTR |
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