STS10P4LLF6
MOSFET P-CH 40V 10A 8SO
Número de pieza NOVA:
312-2291639-STS10P4LLF6
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
STS10P4LLF6
Embalaje estándar:
2,500
Hoja de datos técnicos:
P-Channel 40 V 10A (Ta) 2.7W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-SOIC | |
| Número de producto base | STS10 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | STripFET™ F6 | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 10A (Ta) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 3A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 1V @ 250µA (Min) | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 34 nC @ 4.5 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 40 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3525 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 2.7W (Ta) | |
| Otros nombres | -497-15483-2 497-15483-1 497-15483-2 -497-15483-6 497-15483-6 -497-15483-1 |
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