NTTFS4932NTAG
MOSFET N-CH 30V 11A/79A 8WDFN
Número de pieza NOVA:
312-2301915-NTTFS4932NTAG
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
NTTFS4932NTAG
Embalaje estándar:
1,500
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 30 V 11A (Ta), 79A (Tc) 850mW (Ta), 43W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-WDFN (3.3x3.3) | |
| Número de producto base | NTTFS4932 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 11A (Ta), 79A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.2V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 46.5 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 8-PowerWDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3111 pF @ 15 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 850mW (Ta), 43W (Tc) | |
| Otros nombres | NTTFS4932NTAGOSTR 2156-NTTFS4932NTAG-OS NTTFS4932NTAG-ND ONSONSNTTFS4932NTAG NTTFS4932NTAGOSDKR NTTFS4932NTAGOSCT |
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