SIHH068N60E-T1-GE3

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Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PowerPAK® 8 x 8
Número de producto base	SIHH068
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	E
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	34A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	68mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	80 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	8-PowerTDFN
Vgs (Máx.)	±30V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	600 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	2650 pF @ 100 V
Disipación de energía (máx.)	202W (Tc)
Otros nombres	SIHH068N60E-T1-GE3TR SIHH068N60E-T1-GE3DKR SIHH068N60E-T1-GE3CT

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