ISZ0803NLSATMA1

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TRENCH >=100V PG-TSDSON-8

Número de pieza NOVA:

312-2275702-ISZ0803NLSATMA1

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

ISZ0803NLSATMA1

Embalaje estándar:

5,000

Hoja de datos técnicos:

N-Channel 100 V 7.7A (Ta), 37A (Tc) 2.1W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-26

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TSDSON-8-26
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	OptiMOS™ 5
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	7.7A (Ta), 37A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	16.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	2.3V @ 18µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	15 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	8-PowerTDFN
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1000 pF @ 50 V
Disipación de energía (máx.)	2.1W (Ta), 43W (Tc)
Otros nombres	SP005430493 448-ISZ0803NLSATMA1TR 448-ISZ0803NLSATMA1DKR 448-ISZ0803NLSATMA1CT