SUP60061EL-GE3

P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET TO-2
Número de pieza NOVA:
312-2271510-SUP60061EL-GE3
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SUP60061EL-GE3
Embalaje estándar:
500
Hoja de datos técnicos:

P-Channel 80 V 150A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB

More Information
CategoríaTransistores - FET, MOSFET - Simple
FabricanteVishay Siliconix
RoHS 1
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montajeThrough Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-220AB
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
SerieTrenchFET®
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C 150A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs 5.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id. 2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 218 nC @ 10 V
Función FET-
Paquete / CajaTO-220-3
Vgs (Máx.)±20V
Tipo FETP-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)80 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 9600 pF @ 40 V
Disipación de energía (máx.) 375W (Tc)
Otros nombres742-SUP60061EL-GE3

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