BSZ180P03NS3EGATMA1

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TSDSON-8
Número de producto base	BSZ180
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	OptiMOS™
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	9A (Ta), 39.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	18mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	3.1V @ 48µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	30 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	8-PowerTDFN
Vgs (Máx.)	±25V
Tipo FET	P-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	2220 pF @ 15 V
Disipación de energía (máx.)	2.1W (Ta), 40W (Tc)
Otros nombres	BSZ180P03NS3E G BSZ180P03NS3EGATMA1TR BSZ180P03NS3E G-ND BSZ180P03NS3EGATMA1CT BSZ180P03NS3EGATMA1DKR SP000709740

In stock Por favor contáctenos

?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.

?Encontramos otros productos que te pueden gustar!