IRFH8201TRPBF
MOSFET N-CH 25V 49A/100A 8PQFN
Número de pieza NOVA:
312-2290493-IRFH8201TRPBF
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IRFH8201TRPBF
Embalaje estándar:
4,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 25 V 49A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-PQFN (5x6) | |
| Número de producto base | IRFH8201 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | HEXFET®, StrongIRFET™ | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 49A (Ta), 100A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 0.95mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.35V @ 150µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 111 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 25 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 7330 pF @ 13 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 3.6W (Ta), 156W (Tc) | |
| Otros nombres | IRFH8201TRPBFCT IRFH8201TRPBFDKR IRFH8201TRPBFTR IRFH8201TRPBF-ND SP001577876 |
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