SUP80090E-GE3

MOSFET N-CH 150V 128A TO220AB
Número de pieza NOVA:
312-2289694-SUP80090E-GE3
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SUP80090E-GE3
Embalaje estándar:
500
Hoja de datos técnicos:

N-Channel 150 V 128A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB

More Information
CategoríaTransistores - FET, MOSFET - Simple
FabricanteVishay Siliconix
RoHS 1
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montajeThrough Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-220AB
Número de producto base SUP80090
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
SerieThunderFET®
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C 128A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)7.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs 9.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id. 5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 95 nC @ 10 V
Función FET-
Paquete / CajaTO-220-3
Vgs (Máx.)±20V
Tipo FETN-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)150 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 3425 pF @ 75 V
Disipación de energía (máx.) 375W (Tc)
Otros nombresSUP80090E-GE3CT-ND
SUP80090E-GE3TR-ND
SUP80090E-GE3TRINACTIVE
SUP80090E-GE3TR
SUP80090E-GE3DKRINACTIVE
SUP80090E-GE3DKR
SUP80090E-GE3DKR-ND
SUP80090E-GE3CT

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