SUP80090E-GE3
MOSFET N-CH 150V 128A TO220AB
Número de pieza NOVA:
312-2289694-SUP80090E-GE3
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SUP80090E-GE3
Embalaje estándar:
500
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 150 V 128A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-220AB | |
| Número de producto base | SUP80090 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | ThunderFET® | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 128A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 9.4mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 5V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 95 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-220-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 150 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3425 pF @ 75 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 375W (Tc) | |
| Otros nombres | SUP80090E-GE3CT-ND SUP80090E-GE3TR-ND SUP80090E-GE3TRINACTIVE SUP80090E-GE3TR SUP80090E-GE3DKRINACTIVE SUP80090E-GE3DKR SUP80090E-GE3DKR-ND SUP80090E-GE3CT |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
- LM317LIPKTexas Instruments
- FDP075N15A-F102onsemi
- PSMN8R7-80PS,127Nexperia USA Inc.
- FDMD84100onsemi
- AQY225R3VPanasonic Electric Works
- IRF135B203Infineon Technologies
- VOR1142M4Vishay Semiconductor Opto Division
- IRFB4115GPBFInternational Rectifier
- PMEG10030ELPXNexperia USA Inc.
- TLP3556A(TP1,FToshiba Semiconductor and Storage
- RM140N150T2Rectron USA
- AD8065ARTZ-REELAnalog Devices Inc.
- PMEG10020AELRXNexperia USA Inc.
- IPB033N10N5LFATMA1Infineon Technologies














