SSM3J35CT,L3F
MOSFET P-CHANNEL 20V 100MA CST3
Número de pieza NOVA:
312-2289985-SSM3J35CT,L3F
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SSM3J35CT,L3F
Embalaje estándar:
10,000
Hoja de datos técnicos:
P-Channel 20 V 100mA (Ta) 100mW (Ta) Surface Mount CST3
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | CST3 | |
| Número de producto base | SSM3J35 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | π-MOSVI | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 100mA (Ta) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 8Ohm @ 50mA, 4V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 1V @ 1mA | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | SC-101, SOT-883 | |
| Vgs (Máx.) | ±10V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 20 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 12.2 pF @ 3 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 100mW (Ta) | |
| Otros nombres | SSM3J35CT,L3F(T SSM3J35CT,L3F(B SSM3J35CTL3FCT SSM3J35CTL3F(T SSM3J35CTL3FDKR SSM3J35CTL3FTR SSM3J35CTL3F SSM3J35CTL3F(B SSM3J35CT,L3FTR |
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