FQD4N20TM
MOSFET N-CH 200V 3A DPAK
Número de pieza NOVA:
312-2273565-FQD4N20TM
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
FQD4N20TM
Embalaje estándar:
2,500
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 200 V 3A (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-252AA | |
| Número de producto base | FQD4N20 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | QFET® | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 3A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 1.5A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 5V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 6.5 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±30V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 200 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 220 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 2.5W (Ta), 30W (Tc) | |
| Otros nombres | FQD4N20TMFSCT FQD4N20TMFSDKR FQD4N20TMFSTR FQD4N20TM-ND |
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