APT9M100S
MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK
Número de pieza NOVA:
312-2264650-APT9M100S
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
APT9M100S
Embalaje estándar:
1
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 1000 V 9A (Tc) 335W (Tc) Surface Mount D3PAK
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Microchip Technology | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | D3PAK | |
| Número de producto base | APT9M100 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | POWER MOS 8™ | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 9A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 5A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 5V @ 1mA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 80 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | |
| Vgs (Máx.) | ±30V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 1000 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2605 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 335W (Tc) | |
| Otros nombres | 150-APT9M100S |
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