IXFT80N65X2HV
MOSFET N-CH 650V 80A TO268HV
Número de pieza NOVA:
312-2299591-IXFT80N65X2HV
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IXFT80N65X2HV
Embalaje estándar:
30
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 650 V 80A (Tc) 890W (Tc) Surface Mount TO-268HV (IXFT)
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-268HV (IXFT) | |
| Número de producto base | IXFT80 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | HiPerFET™, Ultra X2 | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 80A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 5V @ 4mA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 140 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | |
| Vgs (Máx.) | ±30V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 650 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 8300 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 890W (Tc) |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
IXFT80N65X2HV-TRLIXYS
APT77N60SC6/TRMicrochip Technology
G3R30MT12JGeneSiC Semiconductor
IXFA80N25X3IXYS- MSC025SMA120SMicrochip Technology
LW Q38E-Q1OO-3K6L-1OSRAM Opto Semiconductors Inc.
RS3J-E3/57TVishay General Semiconductor - Diodes Division