SIJ482DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Número de pieza NOVA:
312-2288112-SIJ482DP-T1-GE3
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SIJ482DP-T1-GE3
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 80 V 60A (Tc) 5W (Ta), 69.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PowerPAK® SO-8 | |
| Número de producto base | SIJ482 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | TrenchFET® | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 60A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 6.2mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.7V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 71 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | PowerPAK® SO-8 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 80 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2425 pF @ 40 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 5W (Ta), 69.4W (Tc) | |
| Otros nombres | SIJ482DP-T1-GE3DKR SIJ482DP-T1-GE3DKRINACTIVE SIJ482DP-T1-GE3TR SIJ482DP-T1-GE3CT SIJ482DP-T1-GE3DKR-ND SIJ482DPT1GE3 |
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