FDS3692

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Número de pieza NOVA:
312-2316155-FDS3692
Número de parte del fabricante:
FDS3692
Embalaje estándar:
1
Hoja de datos técnicos:

N-Channel 100 V 4.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

More Information
CategoríaTransistores - FET, MOSFET - Simple
FabricanteFairchild Semiconductor
RoHS 1
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor 8-SOIC
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
SeriePowerTrench®
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C 4.5A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs 60mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id. 4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 15 nC @ 10 V
Función FET-
Paquete / Caja8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (Máx.)±20V
Tipo FETN-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)100 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 746 pF @ 25 V
Disipación de energía (máx.) 2.5W (Ta)
Otros nombresFAIFSCFDS3692
2156-FDS3692

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