IPB320N20N3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 34A D2PAK
Número de pieza NOVA:
312-2283077-IPB320N20N3GATMA1
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IPB320N20N3GATMA1
Embalaje estándar:
1,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 200 V 34A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO263-3 | |
| Número de producto base | IPB320 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | OptiMOS™ | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 34A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 32mOhm @ 34A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4V @ 90µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 29 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 200 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2350 pF @ 100 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 136W (Tc) | |
| Otros nombres | SP000691172 IPB320N20N3G IPB320N20N3 GDKR IPB320N20N3 GCT IPB320N20N3GATMA1TR IPB320N20N3GATMA1DKR IPB320N20N3 G-ND IPB320N20N3 G IPB320N20N3 GDKR-ND IPB320N20N3 GTR IPB320N20N3GATMA1CT IPB320N20N3 GTR-ND IPB320N20N3 GCT-ND |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
IPP320N20N3GXKSA1Infineon Technologies
BUK7Y4R8-60EXNexperia USA Inc.
SQM60N20-35_GE3Vishay Siliconix
IPD320N20N3GATMA1Infineon Technologies
BSC320N20NS3GATMA1Infineon Technologies- SQM90142E_GE3Vishay Siliconix
IPB600N25N3GATMA1Infineon Technologies