SI1403BDL-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 1.4A SC70-6
Número de pieza NOVA:
312-2279367-SI1403BDL-T1-E3
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SI1403BDL-T1-E3
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
P-Channel 20 V 1.4A (Ta) 568mW (Ta) Surface Mount SC-70-6
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SC-70-6 | |
| Número de producto base | SI1403 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | TrenchFET® | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 1.4A (Ta) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 1.5A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 1.3V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 4.5 nC @ 4.5 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| Vgs (Máx.) | ±12V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 20 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 568mW (Ta) | |
| Otros nombres | SI1403BDL-T1-E3TR SI1403BDL-T1-E3DKR SI1403BDLT1E3 SI1403BDL-T1-E3CT |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
SI1403BDL-T1-GE3Vishay Siliconix