IRFH5302TRPBF

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Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PQFN (5x6) Single Die
Número de producto base	IRFH5302
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	HEXFET®
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	32A (Ta), 100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	2.1mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	2.35V @ 100µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	76 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	8-PowerVDFN
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	4400 pF @ 15 V
Disipación de energía (máx.)	3.6W (Ta), 100W (Tc)
Otros nombres	IRFH5302TRPBFDKR SP001575636 IRFH5302TRPBFCT IRFH5302TRPBFTR 2156-IRFH5302TRPBF IRFH5302TRPBF-ND INFINFIRFH5302TRPBF

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