IRF640NSTRLPBF
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Número de pieza NOVA:
312-2280311-IRF640NSTRLPBF
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IRF640NSTRLPBF
Embalaje estándar:
800
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 200 V 18A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D2PAK
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | D2PAK | |
| Número de producto base | IRF640 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | HEXFET® | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 18A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 11A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 67 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 200 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1160 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 150W (Tc) | |
| Otros nombres | IRF640NSTRLPBF-ND SP001561810 IRF640NSTRLPBFTR 2156-IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBFCT IRF640NSTRLPBFDKR INFINFIRF640NSTRLPBF Q4322190Z |
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