RQ3E120BNTB
MOSFET N-CH 30V 12A 8HSMT
Número de pieza NOVA:
312-2292202-RQ3E120BNTB
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
RQ3E120BNTB
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 30 V 12A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-HSMT (3.2x3) | |
| Número de producto base | RQ3E120 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 12A (Ta) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 9.3mOhm @ 12A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.5V @ 1mA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 29 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 8-PowerVDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1500 pF @ 15 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 2W (Ta) | |
| Otros nombres | RQ3E120BNTBCT RQ3E120BNTBDKR RQ3E120BNTBTR |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
RQ3E100BNTBRohm Semiconductor- RQ3E120ATTBRohm Semiconductor
- RQ3E120GNTBRohm Semiconductor
AON7506Alpha & Omega Semiconductor Inc.
DMG7430LFG-7Diodes Incorporated