BSZ0910LSATMA1

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Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TDSON-8 FL
Número de producto base	BSZ0910
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	OptiMOS™ 5
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	18A (Ta), 40A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	4.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	17 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	8-PowerTDFN
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1100 pF @ 15 V
Disipación de energía (máx.)	2.1W (Ta), 37W (Tc)
Otros nombres	SP005424269 448-BSZ0910LSATMA1CT 448-BSZ0910LSATMA1TR 448-BSZ0910LSATMA1DKR

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