TPC6111(TE85L,F,M)
MOSFET P-CH 20V 5.5A VS-6
Número de pieza NOVA:
312-2273323-TPC6111(TE85L,F,M)
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
TPC6111(TE85L,F,M)
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
P-Channel 20 V 5.5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount VS-6 (2.9x2.8)
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | VS-6 (2.9x2.8) | |
| Número de producto base | TPC6111 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | U-MOSV | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 5.5A (Ta) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 2.8A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 1V @ 1mA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 10 nC @ 5 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| Vgs (Máx.) | ±8V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 20 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 700 pF @ 10 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 700mW (Ta) | |
| Otros nombres | TPC6111TE85LFDKR TPC6111(TE85L,F) TPC6111TE85LFDKR-ND TPC6111TE85LFCT TPC6111TE85LFTR TPC6111(TE85LFM)CT TPC6111(TE85LFM)TR TPC6111(TE85LFM)DKR TPC6111TE85LFCT-ND TPC6111TE85LFTR-ND TPC6111TE85LFM |
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