2SJ649-AZ
MOSFET P-CH 60V 20A TO220
Número de pieza NOVA:
312-2305468-2SJ649-AZ
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
2SJ649-AZ
Embalaje estándar:
25
Hoja de datos técnicos:
P-Channel 60 V 20A (Tc) 2W (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Renesas Electronics America Inc | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-220 Isolated Tab | |
| Número de producto base | 2SJ649 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 20A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 48mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | - | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 38 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-220-3 Isolated Tab | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 60 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1900 pF @ 10 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 2W (Ta), 25W (Tc) |
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