BSO080P03NS3GXUMA1
MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO
Número de pieza NOVA:
312-2287794-BSO080P03NS3GXUMA1
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
BSO080P03NS3GXUMA1
Embalaje estándar:
2,500
Hoja de datos técnicos:
P-Channel 30 V 12A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount PG-DSO-8
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-DSO-8 | |
| Número de producto base | BSO080 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | OptiMOS™ | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 12A (Ta) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 14.8A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 3.1V @ 150µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 81 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Vgs (Máx.) | ±25V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 6750 pF @ 15 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 1.6W (Ta) | |
| Otros nombres | BSO080P03NS3 GCT-ND BSO080P03NS3 G-ND BSO080P03NS3 GDKR-ND BSO080P03NS3 GCT BSO080P03NS3G SP000472996 BSO080P03NS3 G BSO080P03NS3GXUMA1TR BSO080P03NS3GXUMA1CT BSO080P03NS3 GDKR BSO080P03NS3GXUMA1DKR BSO080P03NS3 GTR-ND |
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