NVD5117PLT4G-VF01

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.mst-lazy {display:none;}

MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK

Número de pieza NOVA:

312-2282846-NVD5117PLT4G-VF01

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

NVD5117PLT4G-VF01

Embalaje estándar:

2,500

Hoja de datos técnicos:

P-Channel 60 V 11A (Ta), 61A (Tc) 4.1W (Ta), 118W (Tc) Surface Mount DPAK

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	onsemi
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	DPAK
Número de producto base	NVD5117
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	Automotive, AEC-Q101
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	11A (Ta), 61A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	16mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	85 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	P-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	4800 pF @ 25 V
Disipación de energía (máx.)	4.1W (Ta), 118W (Tc)
Otros nombres	NVD5117PLT4G-VF01TR NVD5117PLT4G-VF01DKR NVD5117PLT4G-VF01CT