SQJQ112E-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Número de pieza NOVA:
312-2288833-SQJQ112E-T1_GE3
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SQJQ112E-T1_GE3
Embalaje estándar:
2,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 100 V 296A (Tc) 600W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PowerPAK® 8 x 8 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Gen IV | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 296A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 2.53mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 3.5V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 272 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | PowerPAK® 8 x 8 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 100 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 15945 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 600W (Tc) | |
| Otros nombres | 742-SQJQ112E-T1_GE3CT 742-SQJQ112E-T1_GE3TR 742-SQJQ112E-T1_GE3DKR |
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