SI4090DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SO
Número de pieza NOVA:
312-2361592-SI4090DY-T1-GE3
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SI4090DY-T1-GE3
Embalaje estándar:
2,500
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 100 V 19.7A (Tc) 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-SOIC | |
| Número de producto base | SI4090 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | TrenchFET® | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 19.7A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 15A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 3.3V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 69 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 100 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2410 pF @ 50 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) | |
| Otros nombres | SI4090DY-T1-GE3CT SI4090DY-T1-GE3DKR SI4090DY-T1-GE3TR SI4090DYT1GE3 |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
SI4190ADY-T1-GE3Vishay Siliconix- SQ4080EY-T1_GE3Vishay Siliconix
MBR0560-TPMicro Commercial Co