R6004ENJTL

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Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Rohm Semiconductor
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	LPTS
Número de producto base	R6004
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	-
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	980mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	4V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	15 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	600 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	250 pF @ 25 V
Disipación de energía (máx.)	40W (Tc)
Otros nombres	R6004ENJTLCT R6004ENJTLTR R6004ENJTLDKR

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