IRF530A

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Número de pieza NOVA:
312-2274925-IRF530A
Número de parte del fabricante:
IRF530A
Embalaje estándar:
1
Hoja de datos técnicos:

N-Channel 100 V 14A (Tc) 55W (Tc) Through Hole TO-220-3

More Information
CategoríaTransistores - FET, MOSFET - Simple
FabricanteFairchild Semiconductor
RoHS 1
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montajeThrough Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-220-3
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Serie-
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C 14A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs 110mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id. 4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 36 nC @ 10 V
Función FET-
Paquete / CajaTO-220-3
Vgs (Máx.)-
Tipo FETN-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)100 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 790 pF @ 25 V
Disipación de energía (máx.) 55W (Tc)
Otros nombresFAIFSCIRF530A
2156-IRF530A

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