SIA429DJT-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Número de pieza NOVA:
312-2285212-SIA429DJT-T1-GE3
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SIA429DJT-T1-GE3
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
P-Channel 20 V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PowerPAK® SC-70-6 | |
| Número de producto base | SIA429 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | TrenchFET® | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 12A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 20.5mOhm @ 6A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 1V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 62 nC @ 8 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | PowerPAK® SC-70-6 | |
| Vgs (Máx.) | ±8V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 20 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1750 pF @ 10 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) | |
| Otros nombres | SIA429DJT-T1-GE3DKR SIA429DJT-T1-GE3TR SIA429DJT-T1-GE3CT SIA429DJTT1GE3 |
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