DMN3016LFDE-13
MOSFET N-CH 30V 10A 6UDFN
Número de pieza NOVA:
312-2273657-DMN3016LFDE-13
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
DMN3016LFDE-13
Embalaje estándar:
10,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 30 V 10A (Ta) 730mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | U-DFN2020-6 (Type E) | |
| Número de producto base | DMN3016 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 10A (Ta) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 11A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 25.1 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 6-PowerUDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1415 pF @ 15 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 730mW (Ta) | |
| Otros nombres | DMN3016LFDE-13DI-ND DMN3016LFDE-13DI DMN3016LFDE-13DICT DMN3016LFDE-13DITR DMN3016LFDE-13DIDKR |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
DMN3016LFDE-7Diodes Incorporated
RQ3E100BNTBRohm Semiconductor
DMG7430LFG-7Diodes Incorporated