TP65H035G4WSQA

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650 V 46.5 GAN FET

Número de pieza NOVA:

312-2299701-TP65H035G4WSQA

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

TP65H035G4WSQA

Embalaje estándar:

Hoja de datos técnicos:

N-Channel 650 V 47.2A (Tc) 187W (Tc) Through Hole TO-247-3

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Transphorm
RoHS	1
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-247-3
Tecnología	GaNFET (Gallium Nitride)
Serie	*
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	47.2A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	41mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	4.8V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	22 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	TO-247-3
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1500 pF @ 400 V
Disipación de energía (máx.)	187W (Tc)
Otros nombres	1707-TP65H035G4WSQA