FDC637AN
MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6
Número de pieza NOVA:
312-2285249-FDC637AN
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
FDC637AN
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 20 V 6.2A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SuperSOT™-6 | |
| Número de producto base | FDC637 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | PowerTrench® | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 6.2A (Ta) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 6.2A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 1.5V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 16 nC @ 4.5 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| Vgs (Máx.) | ±8V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 20 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1125 pF @ 10 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 1.6W (Ta) | |
| Otros nombres | FDC637AN-ND 2156-FDC637AN-OS ONSONSFDC637AN FDC637ANCT FDC637ANDKR FDC637ANTR |
In stock ?Necesitas más?
0,15830 US$
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
FDC637BNZonsemi
NDS332Ponsemi
LTC6752IS5#TRMPBFAnalog Devices Inc.
AO6404Alpha & Omega Semiconductor Inc.
SN74AVC4T774PWTexas Instruments
