TK100A10N1,S4X
MOSFET N-CH 100V 100A TO220SIS
Número de pieza NOVA:
312-2278422-TK100A10N1,S4X
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
TK100A10N1,S4X
Embalaje estándar:
50
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-220SIS | |
| Número de producto base | TK100A10 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | U-MOSVIII-H | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 100A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 3.8mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4V @ 1mA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 140 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-220-3 Full Pack | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 100 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 8800 pF @ 50 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 45W (Tc) | |
| Otros nombres | TK100A10N1,S4X(S TK100A10N1S4X TK100A10N1,S4X-ND |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
TK100A06N1,S4XToshiba Semiconductor and Storage- TK2R4A08QM,S4XToshiba Semiconductor and Storage
- TK3R2A10PL,S4XToshiba Semiconductor and Storage
IRFI4110GPBFInfineon Technologies
SUP70030E-GE3Vishay Siliconix