TPH1R306P1,L1Q
MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
Número de pieza NOVA:
312-2282275-TPH1R306P1,L1Q
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
TPH1R306P1,L1Q
Embalaje estándar:
5,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | 175°C | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-SOP Advance (5x5) | |
| Número de producto base | TPH1R306 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | U-MOSIX-H | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 100A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 1.28mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.5V @ 1mA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 91 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 8-PowerVDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 60 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 8100 pF @ 30 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 960mW (Ta), 170W (Tc) | |
| Otros nombres | 264-TPH1R306P1L1QCT 264-TPH1R306P1L1QTR 264-TPH1R306P1L1QDKR TPH1R306P1,L1Q(M |
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