IPB200N25N3GATMA1
MOSFET N-CH 250V 64A D2PAK
Número de pieza NOVA:
312-2283596-IPB200N25N3GATMA1
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IPB200N25N3GATMA1
Embalaje estándar:
1,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 250 V 64A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO263-3 | |
| Número de producto base | IPB200 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | OptiMOS™ | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 64A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 64A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4V @ 270µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 86 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 250 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 7100 pF @ 100 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 300W (Tc) | |
| Otros nombres | IPB200N25N3GATMA1TR IPB200N25N3 G IPB200N25N3 GDKR-ND IPB200N25N3 GDKR IPB200N25N3 GTR-ND SP000677896 IPB200N25N3 GCT-ND IPB200N25N3G IPB200N25N3 GCT IPB200N25N3GATMA1CT IPB200N25N3 G-ND IPB200N25N3GATMA1DKR IPB200N25N3 GTR |
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