SCT2080KEC
SICFET N-CH 1200V 40A TO247
Número de pieza NOVA:
312-2299900-SCT2080KEC
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SCT2080KEC
Embalaje estándar:
360
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 1200 V 40A (Tc) 262W (Tc) Through Hole TO-247
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-247 | |
| Número de producto base | SCT2080 | |
| Tecnología | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Serie | - | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 40A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 18V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 117mOhm @ 10A, 18V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4V @ 4.4mA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 106 nC @ 18 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-247-3 | |
| Vgs (Máx.) | +22V, -6V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 1200 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2080 pF @ 800 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 262W (Tc) | |
| Otros nombres | SCT2080KECU |
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