IRFH6200TRPBF
MOSFET N-CH 20V 49A/100A 8PQFN
Número de pieza NOVA:
312-2291149-IRFH6200TRPBF
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IRFH6200TRPBF
Embalaje estándar:
4,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 20 V 49A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-PQFN (5x6) | |
| Número de producto base | IRFH6200 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | HEXFET® | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 49A (Ta), 100A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 0.95mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 1.1V @ 150µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 230 nC @ 4.5 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 8-PowerVDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±12V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 20 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 10890 pF @ 10 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 3.6W (Ta), 156W (Tc) | |
| Otros nombres | IRFH6200TRPBF-ND IRFH6200TRPBFTR SP001575628 IRFH6200TRPBFCT IRFH6200TRPBFDKR |
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